微弧氧化同陽極氧化的區別在于微弧氧化時微等離子體高溫高壓區瞬間燒結作用使無定形氧化物變成晶態相。
微弧氧化從普通陽極氧化發展而來，其裝置包括專用高壓電源、氧化槽、冷卻系統和攪拌系統。氧化液大多采用堿性溶液，對環境污染小。溶液溫度以室溫為宜，溫度變化范圍較寬。溶液溫度對微弧氧化的影響比陽極氧化小得多，因為微弧區燒結溫度達幾千度，遠高于槽溫，而陽極氧化要求溶液溫度較低，特別是硬質陽極氧化對溶液溫度限制更為嚴格。微弧氧化工件的形狀可以較復雜，部分內表面也可處理。此外，微弧氧化工藝流程比陽極氧化簡單得多，也是此技術工藝特點之一。
陽極氧化膜同基體結合良好，但不具備陶瓷膜的高耐磨損及耐腐蝕性能。微弧氧化直接把基體金屬氧化燒結成氧化物陶瓷膜，不從外部引入陶瓷物料，同其它陶瓷膜制備技術的出發點完全不同。使微弧氧化膜既有陶瓷膜的高性能，又保持了陽極氧化膜與基體的結合力，在理論和應用上都突破了其它技術的束縛。從圖1看出，鋁合金微弧氧化膜具有致密層和疏松層兩層結構，氧化膜與基體之間界面上無大的孔洞，界面結合良好。
